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ZX-TD XP-002 ZUB2020A 深紫外LED芯片

产品特性

高亮度

芯片百分百测试分选

长寿命、高可靠性

产品详情

1、产品特性

高亮度

芯片百分百测试分选

长寿命、高可靠性


2、芯片结构

芯片外观


ZX-TD XP-002 ZUB2020A 深紫外LED芯片


芯片尺寸

尺寸:长×宽Chip Size L×W508×508(±25)μm²
芯片厚度300±10μm
P 焊盘450×150(±10)μm2
N 焊盘450×150(±10)μm2
焊盘间距150±10μm


衬底材料蓝宝石
外延结构AlGaN/AlN/GaN MQW
P 电极AuSn
N 电极AuSn


3、光电性能特性 (Ta=22℃)

参数特征条件最小值最大值单位
正向电压VF1100mA57.5V
开启电压VF31uA34.5V
光功率LOP100mA1026mW
反向电流IR-5V01uA
峰值波长WLP100mA300315nm


4、最大额定值

参数符号条件最大值单位
正向电流IFTc = 22℃≤150mA
耐受结温Tj---≤85
工作温度Topr----30~60
存储条件Tstg----40~100


5、分档规格

编码规则


ZX-TD XP-002 ZUB2020A 深紫外LED芯片


电压分档 (Ta=22℃)

LevelA01A02A03A04A05A06A07A08A09A11
Min4.54.7555.255.55.756.06.256.56.75
Max4.7555.255.55.756.06.256.56.757.0


光功率分档 (Ta=22℃)

LevelB10B11B12B13
Min10141822
Max14182226


主波长分档 (Ta=22℃)

Level300C302C305C307C310C312C
Min300302.5305307.5310312.5
Max302.5305307.5310312.5315


实例

300CB10A03

波长:300-302.5nm

亮度:10-14 mW

电压:5-5.25 V


6、特性曲线


ZX-TD XP-002 ZUB2020A 深紫外LED芯片


7、应用说明

1)所有数据均是基于至芯半导体测试仪器上实施的裸晶芯片测试。

2)因受测试设备精准度的影响,各项参数量测均会有一定的误差,误差极限值为 WLP±1.0nm、LOP±10%、VF1±0.2V。

3)处理 LED 芯片时请戴好防静电手环或防静电手套,并使用离子风扇。建议在封装器件时加入 ESD防护并用防静电袋包装产品。

4)欢迎提出客制化特殊需求