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ZX-TD XP-001 ZUB1020A 深紫外LED芯片

产品特性

高亮度

芯片百分百测试分选

长寿命、高可靠性

产品详情

1、产品特性

高亮度

芯片百分百测试分选

长寿命、高可靠性


2、芯片结构

芯片外观


ZX-TD XP-001 ZUB1020A 深紫外LED芯片


芯片尺寸

尺寸:长×宽304×508(±25)μm²
芯片厚度250±10μm
P 焊盘136×114(±10)μm2
N 焊盘136×114(±10)μm2
焊盘间距150±10μm



衬底材料
 蓝宝石
外延结构 AlGaN/AlN/GaN MQW
P 电极 AuSn
N 电极 AuSn


3、光电性能特  (Ta=22℃)

 参数/Parameters特征/Symbol 条件/Condition最小值/min最大值/Max单位/Unit
 正向电压/Forward Voltage VF1 20mA 5 7.5 V
 开启电压/ Threshold voltage VF3 1uA 3 4.5 V
 光功率 Radiometric Power LOP 20mA 2 5 mW
 反向电流/Reverse Current IR -5V 0 1 uA
 峰值波长/Peak Wavelength WLP 20mA 300 315 nm


4、最大额定值

参数/Parameters符号/ Symbol条件/Condition最大值/MaximumRating单位/unit
正向电流DC Forward Current IFTc = 22℃≤40 mA
耐受结温Junction Temperature Tj ---≤85
工作温度Operating Temperature Topr --- -30~60
存储条件Storage Temperature Tstg --- -40~100


5、分档规格

编码规则


ZX-TD XP-001 ZUB1020A 深紫外LED芯片


电压分档 (Ta=22℃)

LevelA01A02A03A04A05A06A07A08A09A10
Min4.54.7555.255.55.756.06.256.56.75
Max4.7555.255.55.756.06.256.56.757.0


光功率分档 (Ta=22℃)

LevelB01B02B03B04B05B06
Min22.533.544.5
Max2.533.544.55


主波长分档 (Ta=22℃)

Level300C302C305C307C310C312C
Min300302.5305307.5310312.5
Max302.5305307.5310312.5315


实例 Example

300CB04A03

波长:300-302.5nm 亮度:3.5-4 mW

电压:4.5-4.75 V


6、特性曲线


ZX-TD XP-001 ZUB1020A 深紫外LED芯片


7、应用说明

1)所有数据均是基于至芯半导体测试仪器上实施的裸晶芯片测试。

2)因受测试设备精准度的影响,各项参数量测均会有一定的误差,误差极限值为 WLP±1.0nm、LOP±10%、VF1±0.2V。 

3)处理 LED 芯片时请戴好防静电手环或防静电手套,并使用离子风扇。建议在封装器件时加入 ESD 防护并用防静电袋包装产品。 

4)欢迎提出客制化特殊需求。