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UVB紫外外延片

产品特点

低电压,高亮度 UVB LED 外延片

由 MOCVD 生长而得的 2 寸外延晶片

波长一致性好

产品详情

2 英寸紫外光外延片 300~320nm


1、产品特点

低电压,高亮度 UVB LED 外延片

由 MOCVD 生长而得的 2 寸外延晶片

波长一致性好


2、产品外观


UVB紫外外延片


3、物理结构&物理参数


UVB紫外外延片


直径50.8±0.25mm(2”φ)
切边长度16±1mm
外延片厚度430±25µm
表面类型镜面
刻蚀深度750±100nm
基板平片衬底; 纳米图形化衬底
缓冲层非掺杂氮化铝(2000±100nm )
N 区N 型氮化铝镓
厚度:2000±100nm
发光区MQW/多层量子阱
厚度:100±20nm
P-type Layer/P 区P-AlGaN/P 型氮化铝镓;厚度:100±10nm
P-GaN/P 型氮化镓; 厚度:350±50nm



4、外延片特性(@22℃ preliminary)

参数符号条件最小值典型值最大值单位
正向电压Vf1If =20mA5.07.5V
开启电压Vf3If =1μA34.5V
反向电流IrVr =-5V01.0μA
光功率PA1If =20mA01mW
A212
A323
A434
A545
峰值波长λp30AIf=20mA300305nm
30B305310
30C310315
30D315320
表面等级单片缺陷面积ABC
--
≦10%10%~50%≦70%
其他


备注:

1) 数据基于 10*20mil 尺寸芯片获得;

2) 可根据客户要求定制特殊规格的外延片;

3) 芯片目标尺寸及测试电流的不同,特性参数会有合理的差异;


5、包装


深紫外探测器外延片

1. 可提供 25 片/盒标准晶圆盒(图 A) 包装方式,盒身贴有注明每一片外延片的唯一身份信息的标签,所述身份信息例如批次信息,或激光刻号等;

2. 可提供单片晶圆盒(图 B)包装方式,盒盖上贴有注明该片外延片唯一身份信息的标签,所述身份信息例如批次信息,或激光刻号等。


6、使用建议

1. 外延片储藏

为避免外延片遭受不必要的污染及长时间氧化侵蚀,建议在不使用时将外延片储藏在干燥箱或者氮气柜中。推荐储藏条件温度应不超过35℃,湿度不大于65%;

2. 防护措施

外延片为易碎品,请在储藏、运输或加工过程中避免碰撞、挤压、敲击等事件发生,否则有可能导致外延片破碎或产生裂纹而无法使用;外延片的取放应采用专用的夹具;

3. 静电防护

本产品已具备一定的抗静电能力,但不代表在任意条件下都不会被静电损伤。必要的静电防护措施可有利于更好的使用本外延片;